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題 名 | 氧化鉿薄膜之漏電流分析=Leakage Current Mechanism of HfO[feaf] Thin Film Capacitors |
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作 者 | 葉長茂; 楊國輝; 黃俊達; | 書刊名 | 中州學報 |
卷 期 | 12 1999.06[民88.06] |
頁 次 | 頁79-89 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 薄膜; 氧化鉿; 磁控濺鍍; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本論文主要研究以高週波磁控濺鍍的方法在 P-type 矽基根上成長氧化鉛薄膜,研究它在退火處理之前及經退火處理之後電的特性。在 P-type 的矽晶片上製作 Al/HfO2 Si (MIS) 的結構,從 l-V 和 C-V 的量測中得知在退火溫度 600℃ 時可得最大介電常數約為 28 左右,其漏電流密度在電場強度為 lMV/cm 時約為10-6A/cm²,其崩潰電壓為 45MV/cm。由以上可知,氧化鉛絕緣薄膜具有很好的特性如高介電常數、很良好的 C-V 及高穩定度,但其絕緣特性不如預期的好,在電場強度為 lMV/cm時,其平均的漏電流約為800nA/cm² 左右,經過仔細分析研究,造成漏電流的主要原因為 Schottky emission,因氧化鉛與鋁之位障高度太低,約為 1.15eV,故可使用具有較高功函數之金屬如 Pt 等,使其Schottky 位障提高,改進絕緣特性。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。