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| 題 名 | 射頻磁控濺鍍法製備應用於電阻式記憶體之鑭釤氧薄膜的電阻轉換特性影響及機制研究=Resistive Switching Properties and Conduction Mechanisms of LaSmOx Thin Film by RF Sputtering for RRAM Applications |
|---|---|
| 作 者 | 朱祐增; 黃正亮; | 書刊名 | 陶瓷季刊 |
| 卷 期 | 39:3 2020.07[民109.07] |
| 頁 次 | 頁11-20 |
| 分類號 | 448.5 |
| 關鍵詞 | 鑭釤氧薄膜; 射頻磁控濺鍍法; 電阻式記憶體; 多晶態; 金屬後退火; LaSmOx; RF sputter; RRAM; Polycrystalline; Post metal annealing; PMA; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |