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題名 | 應用於可撓式軟性電子的高密度電阻式記憶體陣列 |
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作者姓名(中文) | 王怡婷; 黃俊嘉; 徐崇威; 侯拓宏; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 18:9=206 2012.09[民101.09] |
頁次 | 頁94-103 |
專輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 電阻式記憶體; 記憶體陣列; 可撓式基板; RRAM; Memory array; One diode-one resister; 1D1R; One selector-one resistor; Flexible substrate; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 電阻式記憶體陣列結構隨著陣列尺寸增加,在讀取時因漏電流的影響越容易造成讀取誤判,必須額外串接元件以降低寄生漏電流路徑的影響;其中,串接二極體的1D1R以及串接雙極選擇元件的1S1R因為結構簡單、製作容易,不僅能降低漏電流的影響,還有機會在未來應用於低成本以及高密度的可撓式軟性電子記憶儲存上。本文以本團隊所研究的1D1R及1S1R為主軸:首先,介紹陣列結構所遭遇到的問題與解決的方法;再來針對1D1R與1S1R的結構以及電性示意圖做簡單的介紹與討論;最後介紹製作在軟性基板上的元件製作過程以及電性量測結果,經由撓曲測試仍可得到相當良好的特性;軟性基板不僅可以降低製程成本,更是未來科技應用的趨勢。本團隊製做出具有良好特性的1D1R與1S1R結構,並成功轉移到軟性基板上,未來我們會繼續朝著實現高密度可撓式電阻式記憶體陣列結構努力。 |
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