查詢結果分析
來源資料
頁籤選單縮合
題名 | 原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用=Applications of Atomic Layer Deposition in Resistance Random Access Memory |
---|---|
作者姓名(中文) | 陳邦旭; 王慶鈞; | 書刊名 | 機械工業 |
卷期 | 363 2013.06[民102.06] |
頁次 | 頁134-143 |
專輯 | 光電產業設備技術專輯 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 原子層沉積技術; 電阻式記憶體; 三維結構; Atomic layer deposition; ALD; Resistance random access memory; RRAM; Three dimension structure; |
語文 | 中文(Chinese) |