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題名 | 非揮發性記憶體新星--電阻式記憶體 |
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作者姓名(中文) | 李明道; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 19:3=212 2013.03[民102.03] |
頁次 | 頁98-110 |
專輯 | 半導體與光電製程設備專輯 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 非揮發性記憶體; 電阻式記憶體; 選擇器; NVM; RRAM; Bipolar; Unipolar; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在非揮發性記憶體中快閃記憶體(Flash)占有相當大的市場,然隨著製程的微縮,其發展已經面臨到了物理瓶頸,故新式記憶體技術的研發就變得刻不容緩。其中電阻式記憶體(RRAM)又以製程簡單、性能優異以及相容於半導體製程等特性在眾多候選記憶體中異軍突起,其元件尺寸即使微縮到奈米等級依然保有記憶體特性,再加上結構可以3D堆疊以及優異的可靠度表現,RRAM在新式非揮發性記憶體中將成為取代市場Flash的超級新星。 |
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