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題名 | 電阻式記憶體於IC製程中的整合與發展 |
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作者姓名(中文) | 蕭郁蘋; 林育賢; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 19:9=218 2013.09 [民102.09] |
頁次 | 頁98-111 |
專輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 非揮發性記憶體; 電阻式記憶體; IC製程整合; Non-volatile memories; NVM; Resistive random acess memories; ReRAM; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 近年來,消費性電子產品日新月異且蓬勃發展,不僅提升了對於非揮發性記憶體的需求,更是帶動了其相關的研究與發展。現今市場上的非揮發性記憶體仍以快閃式記憶體為主,然而當元件尺寸在進入1x奈米世代後,所要面臨的,將是製程上的瓶頸與物理極限的限制。在眾多新興非揮發性記憶體中,能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體(ReRAM)深具競爭潛力,其尺寸可隨曝光技術而持續微縮,且結構簡易,具有操作電位低、可多位元記憶、元件耐久度佳、耗能低等優點。此外,在ReRAM尺寸持續微縮的過程中,許多令人垢病的元件穩定性問題「阻態穩定性、操作電位穩定性等」也將隨之消失。最重要的是ReRAM可與現有的CMOS 製程高度相容,是目前唯一具備低成本競爭力,可與現下的快閃記憶體相抗衡之下一世代非揮發性記憶體。 |
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