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檢索結果筆數(36)。 各著作權人授權國家圖書館,敬請洽詢 nclper@ncl.edu.tw
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- 題 名:
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- 卷 期:
19:3=212 2013.03[民102.03]
- 頁 次:
頁98-110
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題 名:
氧化鋅在電阻式記憶體上之應用:Zno-Based Resistive Random Access Memory: Introduction and Application
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
32 2013.04[民102.04]
- 頁 次:
頁41-55
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
18:9=206 2012.09[民101.09]
- 頁 次:
頁94-103
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
486 2013.06[民102.06]
- 頁 次:
頁34-38
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:8=217 2013.08[民102.08]
- 頁 次:
頁96-109
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
19:9=218 2013.09 [民102.09]
- 頁 次:
頁98-111
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題 名:
臨場穿透式電子顯微鏡下奈米結構之動態行為研究:In-situ TEM Investigation of Dynamical Changes of Nanostructures
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
27:4 2014.12[民103.12]
- 頁 次:
頁20-30
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
26:4 2013.12[民102.12]
- 頁 次:
頁23-30
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題 名:
原子層沉積技術於電阻式記憶體元件之應用:Applications of Atomic Layer Deposition in Resistance Random Access Memory
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
363 2013.06[民102.06]
- 頁 次:
頁134-143
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
28:2 2015.06[民104.06]
- 頁 次:
頁29-35
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:4 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁1-6
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題 名:
3D結構非揮發性記憶體元件技術:Introduction of 3D Structure Technology on Non-volatile Memory Device
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
22:4 2015.12[民104.12]
- 頁 次:
頁12-17
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
23:2 2016.06[民105.06]
- 頁 次:
頁17-22
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題 名:
超臨界流體技術在電子元件之新應用:New Applications of Supercritical Fluid Technology on Electronic Devices
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
360 2016.12[民105.12]
- 頁 次:
頁46-58
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
24 2013.12[民102.12]
- 頁 次:
頁15-19
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
17 2011.09[民100.09]
- 頁 次:
頁85-90
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題 名:
近期電阻式隨機存取記憶體發展:Recent Development of Resistive Random Access Memory
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
25 2011.06[民100.06]
- 頁 次:
頁37-50
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題 名:
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- 題 名:
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
16 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁90-96
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題 名:
二氧化鈦電阻式記憶體之特性:Characteristics of TiO₂ Resistive Random Access Memory
- 作 者:
- 書刊名:
- 卷 期:
36:1 2011.04[民100.04]
- 頁 次:
頁25-34
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題 名: