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題 名 | 以射頻磁控濺鍍法沈積非晶質In-Ga-Zn-O薄膜與特性分析 |
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作 者 | 李憶興; 陳偉哲; 戴佐明; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 19:7=216 2013.07[民102.07] |
頁 次 | 頁83-99 |
專 輯 | 顯示器與觸控面板專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | In-Ga-Zn-O薄膜; 透明氧化物半導體; 射頻磁控濺鍍法; 電性光學結構分析; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 目前研究透明薄膜電晶體之熱門材料為非晶透明氧化物半導體,其具有較優之載子移動率、大面積製造的均勻性與低溫製程的優點。本專輯文章介紹粉末冶金製程(metallurgical process)法以製作In-Ga-Zn-O(IGZO)陶瓷靶材,進而探討不同氧化物混合之比例,和燒溫度後之粉末X光繞射儀量測之晶相分析,以了解不同IGZO成分比例與燒溫度對於晶相強度之影響。藉由射頻磁控濺鍍法改變不同的氧氣流量沈積a-IGZO薄膜於玻璃基板上,從不同氧氣流量比對於a-IGZO薄膜的光學、電性與並研究與材料特性的關係。隨著氧氣流量比的增加,平均透光率也增加並且達到飽和,增加氧氣流量比低於6%時電阻率也有呈正向關係,當增加氧氣流量比大於6%時電阻率則會下降。a-IGZO薄膜的組成成分對於光學和電學特性的影響,於不同的氧氣流量比中,因為有較多的Zn原子比例之a-IGZO薄膜造成高的氧吸收率,使得薄膜的平均透光率均高達80%以上;相反的,有較少的Zn原子比例之a-IGZO薄膜,在未通氧時因為此薄膜中有豐富的In而析出In和In2O3之結晶相,使得平均透光率顯著下降並低於10%;另外當有較多Ga原子會提升a-IGZO薄膜電阻率,而較高的In原子則會提升a-IGZO薄膜導電率。 |
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