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題 名 | 超薄層矽金氧半場效電晶體在不同輕摻雜汲極與袋型離子佈值濃度對短通道效應之影響=Short-Channel Effects of the Different LDD and Pocket Doping Concentration on Ultra Thin Body SOI Devices |
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作 者 | 陳啓文; 穆守駿; 陳育廷; 廖柏青; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 42:1 2016.02[民105.02] |
頁 次 | 頁9-17 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 超薄型矽覆蓋絕緣層; 臨界電壓下滑; 低摻雜汲極; 袋形植入; 短通道效應; Ultra thin body; Threshold voltage roll-off; LDD; Pocket; Short-channel effects; |
語 文 | 中文(Chinese) |