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| 題 名 | 輕摻汲極與袋型結構佈植濃度對超薄型矽覆蓋絕緣層元件特性影響之研究=Electrical Characteristics on Ultra Thin Body SOI Devices with Different LDD and Pocket Doping Concentration |
|---|---|
| 作 者 | 陳啓文; 張志源; 朱建治; 穆守駿; 陳育廷; | 書刊名 | 明新學報 |
| 卷 期 | 42:1 2016.02[民105.02] |
| 頁 次 | 頁19-29 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 超薄型矽覆蓋絕緣層; 臨界電壓下滑; 低摻雜汲極; 袋形植入; Ultra thin body; Threshold voltage variation; Lightly doped drain; Pocket implant; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |