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來源資料
奈米通訊
14:1 2007.04[民96.04]
頁29-34
相關文獻
45奈米以下的高介電係數閘極與金屬閘極CMOS元件
NH₃電漿氮化技術在Hf-silicate/Gd/TaC NMOSFET上之研究
低溫微波退火應用於高介電薄膜/金屬閘極電晶體
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淺談高介電閘極絕緣層與金屬閘極--氟化與氮化技術之開發
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基本資料
引用格式
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匯出書目
題名
45奈米以下的高介電係數閘極與金屬閘極CMOS元件
作者姓名(中文)
吳建宏
;
洪彬舫
;
王水進
;
林哲緯
;
謝焸家
;
黃惠良
;
荊鳳德
;
書刊名
奈米通訊
卷期
14:1 2007.04[民96.04]
頁次
頁29-34
分類號
448.552
關鍵詞
高介電係數介電質
;
金屬閘極
;
奈米互補式金氧半電晶體
;
高低功函數
;
語文
中文(Chinese)
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