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來源資料
電子月刊
20:3=224 2014.03[民103.03]
頁97-111
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題 名
具可調變臨界電壓之雙金屬閘奈米結晶矽電晶體
作 者
邱宥浦
;
謝嘉民
;
楊智超
;
黃文賢
;
高郁聰
;
潘扶民
;
書刊名
電子月刊
卷 期
20:3=224 2014.03[民103.03]
頁 次
頁97-111
專 輯
半導體與光電製程設備專輯
分類號
448.552
關鍵詞
奈米結晶矽
;
同步摻雜
;
感應耦合式電漿化學式氣相沉積
;
薄膜電晶體
;
雙金屬閘極
;
背閘極效應因子
;
ICP-CVD
;
TFT
;
Back-gate-effect factor, γ
;
語 文
中文(Chinese)
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