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| 題 名 | NH₃電漿氮化技術在Hf-silicate/Gd/TaC NMOSFET上之研究=The Device of TaC/Gd/Hf-based Gate nMOSFETs with NH3-plasma Treatment |
|---|---|
| 作 者 | 陳啟文; 鍾宜佐; 黃正全; 陳育廷; 宋大偉; | 書刊名 | 明新學報 |
| 卷 期 | 39:1 2013.02[民102.02] |
| 頁 次 | 頁1-8 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 高介電金屬閘極; 缺陷密度; 閘極漏電流; High-k/metal-gate; Trap densities; Gate leakage; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |