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題名 | 具有不同界面層材料之奈米級高介電絕緣層互補金氧半場效應電晶體研究=Analysis on Characteristics of Nanometer--Scale CMOSFETs with Different Interfacial Layer Using High-K Dielectric Multilayer |
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作者姓名(中文) | 陳啟文; 許志謙; 賴信誠; 葉文冠; 陳育廷; | 書刊名 | 明新學報 |
卷期 | 37:1 2011.02[民100.02] |
頁次 | 頁77-83 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 高介電係數; 閘極漏電流; 界面層; 電荷汲引技術; High dielectric constant; Gate leakage current; Interface layer; Charge pumping technology; |
語文 | 中文(Chinese) |