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題 名 | 高介電常數三氧化二鋱閘極介電層之多晶矽薄膜電晶體在四氟化碳電漿處理下之電性特性研究 |
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作 者 | 潘同明; 李治宏; 洪孟寧; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 18:9=206 2012.09[民101.09] |
頁 次 | 頁104-119 |
專 輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 四氟化碳電漿; 高介電係數; 介面陷阱密度; 三氧化二鋱; 薄膜電晶體; CF4 plasma; High-k; Interface trap density; Tb₂O₃; Thin-film transistor; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在本文中,我們開發了高介電常數三氧化二鋱(Tb2O3)之薄膜電晶體(thin-film transistor, TFT)使用不同的四氟化碳(CF4)電漿功率處理。高介電常數三氧化二鋱之多晶矽薄膜電晶體用20 W電漿展現出很好的電性特性,在高的有效載子遷移率,高的啟動電流,低的臨界電壓,小的次臨界斜率和高的Ion/Ioff電流比值。這些結果歸就氟原子進入三氧化二鋱與多晶矽之間界面減少陷阱態密度。高介電常數三氧化二鋱之多晶矽薄膜電晶體在20 W的CF4電漿處理下還能增強電的可靠度,包含熱載子還有正偏壓溫度的不穩定。所有這些結果表明,有高性能的低溫多晶矽薄膜電晶體用CF4電漿處理的多晶矽三氧化二鋱薄膜電晶體,是一個很好的候選。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。