頁籤選單縮合
題名 | 高熱穩定度(>600 ℃)介面層的開發並整合於鍺互補式金氧半場效電晶體=Development of High Thermal Stability (> 600 ℃) Interfacial Layer for Ge CMOSFETs |
---|---|
作者姓名(中文) | 周承翰; 蔡義河; 徐崇俊; 葉文冠; 簡昭欣; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 24:3 2017.09[民106.09] |
頁次 | 頁8-12 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 鍺互補式金氧半場效電晶體; 高介電氧化層; 熱穩定度; 二氧化鍺; 二氧化鉿; 三氧化二鋁; 介面缺陷密度; Ge CMOSFET; High-k dielectric layer; Thermal stability; GeO₂; HfO₂; Al₂O₃; Interface trap density; |
語文 | 中文(Chinese) |