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| 題 名 | 高熱穩定度(>600 ℃)介面層的開發並整合於鍺互補式金氧半場效電晶體=Development of High Thermal Stability (> 600 ℃) Interfacial Layer for Ge CMOSFETs |
|---|---|
| 作 者 | 周承翰; 蔡義河; 徐崇俊; 葉文冠; 簡昭欣; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 24:3 2017.09[民106.09] |
| 頁 次 | 頁8-12 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 鍺互補式金氧半場效電晶體; 高介電氧化層; 熱穩定度; 二氧化鍺; 二氧化鉿; 三氧化二鋁; 介面缺陷密度; Ge CMOSFET; High-k dielectric layer; Thermal stability; GeO₂; HfO₂; Al₂O₃; Interface trap density; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |