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題名 | 使用金屬閘極或多晶矽閘極在HfSiON絕緣層上之元件電性研究=The Electrical Characteristics of Devices with Metal Gate or Poly-Si Gate on HfSiON Dielectric |
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作者 | 陳啟文; 葉郁龍; 賴信誠; 葉文冠; 陳育廷; | 書刊名 | 明新學報 |
卷期 | 35:2 2009.08[民98.08] |
頁次 | 頁19-24 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 閘極穿遂漏電流; 高介電係數材料; 金屬閘極; Direct-tunneling current; High-k material; Metal gate; |
語文 | 中文(Chinese) |