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題名 | 離子佈植技術在淺接面之應用 |
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作者姓名(中文) | 曾堅信; 蔣曉白; 黃國雄; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 7:1 2000.02[民89.02] |
頁次 | 頁28-33 |
分類號 | 472 |
關鍵詞 | 離子佈植技術; 淺接面; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 在本文中,我們不同的熱處理條件對摻雜濃度分佈的影響,發現氟離子的存在可對硼原子的擴散具有顯著的抑制作用。在以氟離子作預先佈值且劑量為2E15或5E15cm-2下,於相同的熱處理條件,其接面深度可降低15nm。在實驗中我們也成功地製作出接面深度小於50nm,漏電流小於1nA/cm2的p+/n二極體。另外,我們也探討銦離子佈值的技術,在雙重佈值及900℃/10sec的退火環境下,其漏電流為2E-8A/cm2。在研究中,我們也發現在不同熱處理氣氛下,N2O具有強硼離子擴散的現象。 |
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