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題 名 | Ultra Shallow P狇-n Junctions for VLSI Devices by Incorporating N[feaf]狇Implantation=利用氮佈植以形成超大型積體電路元件所需之超淺接面 |
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作 者 | 楊文祿; 劉堂傑; 李仕弘; 陳朝祺; 趙天生; 雷添福; | 書刊名 | 逢甲學報 |
卷 期 | 34 1998.12[民87.12] |
頁 次 | 頁93-103 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 超淺接面; 固態擴散源; 複晶矽; Ultra shallow junction; Solid diffusion source; Polysilicon; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本研究主要利用氮離子預先非晶化之新奇製程技術來製做p��-n超淺接面。形成p�� 區堿的方法包括了:以傳統的方式將BF���岑髐l植入n型矽基座,以及先將BF���妥茪J複晶 矽緩衝層接著以此複晶矽做為固態擴散源兩種不同的方式。經由二次離子質譜儀(SIMS)的分 析結果顯示,加入氮離子佈植可使接面深度變得更淺。除此之外,此方法之接面漏電流密度 亦較傳統p�吵接面之漏電流密度更低。從掃描式電子顯微鏡(SEM),原子力顯微鏡(AFM),及 能譜儀(ESCA)的量測中發現,由於金屬中有氮的存在,使得金屬矽化物在高溫下將不易退 化。 |
英文摘要 | A novel technology for ultra shallow p��-n junctions by incorporating N ���吠er-implantation was studies. The formation technology of p�呀egion includes the conventional implantation of BF���告nto the n-type substrate and diffusion of impurities from the solid- diffusion-source formed by BF����-implanted polysilicon buffer layer. Results show that the shallower junction depth by incorporating the N���� implantation can be obtained from SIMS analysis than that of the conventional BF���告mplantation scheme, Besides, lower leakage current density of p�吵 junction and better thermal stability of metal silicides by N���告mplantation were also obtained from the SEM, AFM, and ESCA analyses than those obtained from the conventional scheme. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。