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題名 | Al₂O₃/HFO₂/Ta₂O₅堆疊閘極介電層於InGaZnO薄膜電晶體之研究及其在光感測的應用=Investigation of InGaZnO Thin Film Transistors Using Al₂O₃/HFO₂/Ta₂O₅ Stacked Gate Dielectrics and Application on Optical Sentor |
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作者 | 許世昌; 王一竹; | 書刊名 | International Journal of Science and Engineering |
卷期 | 13:1 2023.04[民112.04] |
頁次 | 頁11-27 |
分類號 | 448.653 |
關鍵詞 | 氧化銦鎵鋅; 載子遷移率; 介電層; 臨界電壓; Indium gallium zinc oxide; Carrier mobility; Dielectric layer; Critical voltage; |
語文 | 中文(Chinese) |