查詢結果分析
相關文獻
- 氧化錫成份對透明鋁鋅錫氧化物薄膜電晶體的影響研究
- 不同有機材料保護層對a-IGZO TFT影響探討
- 退火溫度對氧化銦鎵鋅薄膜之特性研究
- Al₂O₃/HFO₂/Ta₂O₅堆疊閘極介電層於InGaZnO薄膜電晶體之研究及其在光感測的應用
- Conduction Process and Threshold Voltage in Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors
- An Analytical Threshold Voltage Model for Short-Channel Intrinsic-Type Silicon-on-insulator(SOI) P-Channel Metal-Oxide-Silicon (PMOS)Devices Based on Partitioning of Holes
- 有關毫米波技術新進展之研究
- 反應式直流濺鍍法沉積二氧化鈰薄膜之電特性
- 下世代光碟技術發展及趨勢
- 圖(油畫)的構成分析--基底、塗底、繪畫層與保護層(凡尼斯)之研究
頁籤選單縮合
題 名 | 氧化錫成份對透明鋁鋅錫氧化物薄膜電晶體的影響研究=Study of Electrical Characteristic on a-AZTO Thin-Film Transistors with Different SnO₂ Compositions |
---|---|
作 者 | 陳炳茂; 王聖文; 吳明瑞; 鄧立峯; 劉柏村; | 書刊名 | 明新學報 |
卷 期 | 39:2 2013.08[民102.08] |
頁 次 | 頁1-15 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 氧化銦鎵鋅; 保護層; 直流濺鍍; 臨界電壓; 臨界擺幅; 電子遷移率; Al-Zn-Sn-O TFT; Environment stability; Optical band gap of Al-Zn-Sn-O; Transparent amorphous oxide semiconductor; |
語 文 | 中文(Chinese) |