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題名 | 反應式直流濺鍍法沉積二氧化鈰薄膜之電特性 |
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作者 | 簡昭欣; | 書刊名 | 國科會國家毫微米元件實驗室通訊 |
卷期 | 8:3 2001.08[民90.08] |
頁次 | 頁28-30 |
分類號 | 448.532 |
關鍵詞 | 反應式直流濺鍍法; 二氧化鈰薄膜; 積體電路; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本篇文章主要在討論以反應式直流濺鍍法鍍於(100)矽基板上的二氧化鑲(CeO2)薄膜特性與阻絕層的有無對於整體電性的影響。經由X光繞射光譜(XRD)可知不具緩衝層的二氧化鈰薄膜在(100)矽基板上為單晶。與一具有相等等效厚度(2.8nm)之二氧化矽薄膜做一比較,二氧化鈰具有較低的漏電流值,在2V的偏壓下,兩者約相差104倍。在經歷長時間高電場作用之後,僅導致相當微量的漏電流(SILC)。隨著氮化矽緩衝層的加入,二氧化鈰的結構會產生變異,進而導致一些電性的衰退,備象是漏電流及固定電荷的增加。因此,二氧化鈰(CeO2)在沒有額外的氮化矽緩衝層的薄膜製作對於未來超大型積體電路(ULSI)之高介電閘極絕緣體則是相當有吸引力。 |
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