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題名 | N[feaf]O電漿表面處理對HSQ介電層的材料特性改善與阻隔銅的擴散行為機制之研究與建立 |
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作者 | 陳俊元; | 書刊名 | 中州學報 |
卷期 | 14 2001.06[民90.06] |
頁次 | 頁97-102 |
分類號 | 468.2 |
關鍵詞 | N[feaf]O電漿表面處理; HSQ介電層材料; 阻隔銅; 擴散; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本論文的目的,在研究含氫的矽鹽類HSQ (hydwgem sisesquioxdne) 低介電係數的表面使用PECVD做N2O電漿表面處理後,了解K值與漏電流的變化,並在沉積銅之後,觀察經過BTS後的J-E與C-V圖形,藉此得知銅擴散的情形,整以俾了解HSQ在經過N2O電漿表面處理後的K值變化、鍵結情形與各種原子的量多寡,並研究沒有經過N2O電漿表面處理與經過處理過後的試片,在經過BTS (Bids-temperature stress) 測試後J-E與C-V圖形的變化,以其了解銅在介質中擴散的情形。實驗結果證明了,N2O電漿表面處理在一個適當的時間,將使得K值穩定,且產生阻隔的擴散效應,亦使漏電流降低,相信在銅製程的整合上有莫大的幫助。 |
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