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題名 | 利用單分子層摻雜技術並結合微波和CO₂雷射退火製作摻雜層小於5奈米的多晶矽無接面電晶體=Poly Si Junctionless Transistors with Sub-5nm Conformally Doped Layers by Molecular Monolayer Doping and Microwave Incorporating CO₂ Laser Annealing |
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作 者 | 宋柏融; 卓大鈞; 薛富國; 侯福居; 黃文賢; 楊智超; 李耀仁; 吳文發; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷期 | 23:1 2016.03[民105.03] |
頁次 | 頁33-36 |
關鍵詞 | 微波退火; CO₂雷射退火; 單分子層摻雜; Microwave annealing; CO₂ laser spike annealing; Molecular monolayer doping; |
語文 | 中文(Chinese) |