您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
機械工業
495 2024.06[民113.06]
頁85-92
電腦科學
>
儲存體
相關文獻
MRAM MTJ結構之微波退火優勢
自旋記憶體發展從STT-MRAM到VCMRAM
MRAM的原理與設計
MRAM市場發展概況
工研院九十四年度研究成就獎--電子所:高密度與低耗能MRAM研究開發
經濟部學界科專計畫--高密度磁阻式隨機存取記憶體之核心技術研發
磁阻式隨機存取記憶體技術的發展--現在與未來
奈米尺寸磁阻式隨機存取記憶體所面臨的瓶頸與可能解決方法
自旋電子元件的新世紀--經濟部學界科專-MRAM計劃簡介
利用單分子層摻雜技術並結合微波和CO₂雷射退火製作摻雜層小於5奈米的多晶矽無接面電晶體
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
MRAM MTJ結構之微波退火優勢=Advantages of Microwave Annealing in MRAM MTJ Structure
作 者
邱凡芸
;
黃昆平
;
書刊名
機械工業
卷 期
495 2024.06[民113.06]
頁 次
頁85-92
專 輯
機械淨零碳排技術專輯
分類號
312.15
關鍵詞
磁阻式隨機存取記憶體
;
磁穿隧接面
;
微波退火
;
MRAM
;
MTJ
;
Microwave annealing
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址