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題 名 | 自旋記憶體發展從STT-MRAM到VCMRAM=Development of Spintronics Memory from STT-MRAM to VCMRAM |
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作 者 | 葉林秀; 吳德和; | 書刊名 | 工業材料 |
卷 期 | 377 2018.05[民107.05] |
頁 次 | 頁121-126 |
專 輯 | 磁記憶體 |
分類號 | 471.6511 |
關鍵詞 | 磁阻式隨機存取記憶體; 磁穿隧接面; 磁異向性; Magnetoresistive random access memory; MRAM; Magnetic tunnel junction; MTJ; Magnetic anisotropy; |
語 文 | 中文(Chinese) |