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題 名 | 超淺接面的形成--先進離子佈植退火製程=Formation of Ultra-Shallow Junction--Advanced Ion Implantation Annealing Process |
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作 者 | 呂侑倫; 趙天生; 薛富國; 李耀仁; | 書刊名 | 奈米通訊 |
卷 期 | 16:1 2009.03[民98.03] |
頁 次 | 頁25-30 |
專 輯 | 奈米電子 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 超淺接面; 快速高溫退火; 雷射退火; 微波退火; Ultra-shallow junction; Spike annealing; Millisecond laser annealing; Microwave annealing; |
語 文 | 中文(Chinese) |