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| 題 名 | 新世代電子構裝革新技術--3D電子構裝 |
|---|---|
| 作 者 | 趙本善; 李郭昱; 胡紹俊; | 書刊名 | 陸軍通資半年刊 |
| 卷 期 | 123 2015.04[民104.04] |
| 頁 次 | 頁140-158 |
| 分類號 | 448.57 |
| 關鍵詞 | 電子構裝; 電子封裝; 3D IC構裝; 矽穿導孔; 中介層; 鍍銅填孔; Through silicon via; TSV; Interposer; Copper via filling; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 一、根據著名的摩爾第一定律(Moore’s First Law)預測,晶片內部元件密度與產出數量每隔18個月將會增加1倍至數倍,因此IC線寬尺寸將會縮小,對未來整個電子與通訊而言,勢必將造成很大的技術變革,對民生與國防產業影響甚鉅。 二、近年來,國內外半導體製造業者提出利用3D IC垂直整合構裝技術,將同質IC晶片整合(Homogeneous Devices Integration)甚至是異質IC晶片整合(Heterogeneous Devices Integration),利用矽穿導孔(Through Silicon Via, TSV)進行垂直互連導通,以降低寄生電容與耗電率,滿足寬頻的需求。 三、就國防層面而言,未來的戰爭型態將會朝向電子戰與資訊戰,資料傳輸與運算處理將至關重要,3D IC技術已經逐漸被應用在許多高科技的電子零件。 四、本文旨在介紹目前全球半導體大廠,包含台灣開發3D IC TSV電子構裝發展技術與遭遇瓶頸以及其在3C產品的應用,亦將介紹3D IC TSV電子構裝技術在未來國防武器系統的潛在應用與發展性,俾利軍民讀者對於目前相當炙手可熱的3D IC TSV電子構裝技術有更深一層的認識與了解。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。