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| 題 名 | 矽材料單電子元件的製作 |
|---|---|
| 作 者 | 方奕斌; 胡淑芬; 宋金龍; 黃國貞; 周亞謙; | 書刊名 | 奈米通訊 |
| 卷 期 | 12:2 2005.05[民94.05] |
| 頁 次 | 頁13-17 |
| 分類號 | 448.552 |
| 關鍵詞 | 矽; 單電子電晶體; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 摘要 本文發展了一套簡易的方法製作可運作 單電子電晶體。利用電子束在電子阻劑 (electron resist) 上直寫不連續的奈米尺度的 點,基於奈米點之間會有電子束劑量重疊分 佈的特性,可以製作出有著狹窄接面的奈米 結構。在電子束直寫過程時可以設計讓劑量 重疊區的曝光劑量大於負電子阻劑的門檻劑 量值(threshold exposure dosage),會使得曝光 後的奈米點之間形成一個狹窄的通道。由於 在此通道比奈米點的直徑還要窄,在經過乾 式蝕刻後,一個與兩邊電極之間有著狹窄接 面的矽奈米點就形成了,這是一個單電子電 晶體(single electron transistor, SET) 的基礎結 構。本文將實驗上所量得的單電子電晶體的 電性與正統理論(orthodox theory) 所預期的 在有閘極下矽點結構的電子傳輸行為作比 較。同時製作與分析兩個矽點的雙量子點結 構(double-dot structure),並探討電子在雙點 結構的傳輸行為。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。