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題 名 | 應用正交參數設計法備製非晶形矽氫沈積速率之最佳化研究=Optimization of the Growth Rate for Hydrogenated Amorphous Silicon Deposition Using an Orthogonal Design Method |
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作 者 | 周榮泉; 鄭朝雲; | 書刊名 | 技術學刊 |
卷 期 | 13:4 1998.12[民87.12] |
頁 次 | 頁579-584 |
分類號 | 472.16 |
關鍵詞 | 電漿輔助氣相沈積; 非晶形矽氫; 正交設計; 變異數分析; Plasma enhanced chemical vapor deposition; Hydrogenated amorphous silicon; Orthogonal design; Analysis of variance; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本論文係利用電漿輔助氣相沈積(PECVD)系統沈積非晶形矽氫(a-Si:H)薄膜, 再由 DEKTAK 薄膜測厚儀量測其沈積厚度,計算其沈積速率。由於沈積速率會隨不同的沈積 條件而有極大的差異, 且沈積速率的再現性也非穩定, 因此本研究應用正交設計法( Orthogonal Design )進行實驗設計。以統計學上的變異數分析方法決定各因子的顯著性, 並選取經由第二階段最佳化因子組合逼近實驗,可得到最佳的製程條件組合。其最佳組合為 RF 功率密度 0.08 W ╱ cm �插ASilane 流量 150 SCCM,基板溫度 150 ℃,反應腔的壓力 2 torr。利用最佳的製程條件組合所得最佳沈積速率 0.6 nm ╱ sec,且基板材質、兩極板 的間距、樣本所放置的沈積位置影響沈積速率不大。另外本文亦進行最佳化製程條件的再現 性情形探討,以滿足對 a-Si:H 沈積速率之穩定性要求。 |
英文摘要 | In this paper hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films were prepared by the plasma enhanced chemical vapor deposition system (PECVD) and the total thickness was measured by the DEKTAK surface profile measuring system. Different combinations of deposition parameters, such as RF power density, silane (SiH �� ) flow rate, substrate temperature, gap between electrodes, substrate material and deposition position on the substrate etc., influence the growth rate and optoelectronic characteristics in a-Si:H thin films. Orthogonal tables used in the experiments were designed to improve the growth rate. The orthogonal design theory was applied to optimize the deposition conditions of a-Si:H thin films, and analysis of variance decide the optimum deposition parameters of the second step. According to the above results, the optimum combination for the deposition parameters is RF power density of 0.08 W/cm ��, silane flow rate 150 SCCM, substrate temperature 150 ℃ and deposition pressure about 2 torr. The optimum growth rate is 0.6 nm/sec. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。