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題 名 | 化劣勢為優勢進而可以量身訂做的自組式鍺量子點 |
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作 者 | 李佩雯; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 19:9=218 2013.09 [民102.09] |
頁 次 | 頁88-96 |
專 輯 | IC製程技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 自組式; 鍺量子點; 量子侷限效應; 選擇性氧化矽鍺; 單電子電晶體; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將簡介利用『選擇性氧化矽鍺』的自組式方法來成長可以量身訂做的鍺量子點。此法與目前的互補式金氧半電晶體製程技術相容,不僅可以有『定位』、『定數』、以及營造特定的『掩埋介層』之功效。所成長的鍺量子點可以實際應用於量子點單電子電晶體的製作,展現穩定與良好的庫倫阻斷與電荷操控能力。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。