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題 名 | The Electrical Properties of Sulfur-Passivated GaAs Metal-Oxide-Semiconductor Structures with the Oxide Layer Grown by Liquid Phase Chemical-Enhanced Oxidation Technique |
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作 者 | 周德威; 戴學斌; 廖坤厚; | 書刊名 | 航空技術學校學報 |
卷 期 | 1:1 1999.08[民88.08] |
頁 次 | 頁135-139 |
分類號 | 341.37 |
關鍵詞 | 砷化鎵; 硫鈍化; 電氣特性; 鈍化處理; 氧化; GaAs; (NH4)2Sx; Sulfur passivation; MOS; Liquid phase oxidation; |
語 文 | 英文(English) |