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題名 | 氧化銦錫奈米柱應用於砷化鎵太陽能電池=High Efficiency GaAs Solar Cells Using Indium-Tin-Oxide Nano-Columns |
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作者姓名(中文) | 張家華; 徐敏翔; 楊勁生; 蔡閔安; 余沛慈; 邱清華; 郭浩中; | 書刊名 | 科儀新知 |
卷期 | 30:2=166 2008.10[民97.10] |
頁次 | 頁14-20 |
專輯 | 奈米元件技術專題 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | 氧化銦錫奈米柱; 砷化鎵; 太陽能電池; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文將敘述近年來廣受探討的奈米結構抗反射層及其在太陽能電池上的應用。氧化銦錫乃是目前市場上具有高穿透率及高導電率的透明電極之主要材料,利用斜向電子槍蒸鍍法,可於多種基板上製作出氧化銦錫奈米柱狀結構,其具有低成本、快速的優點,同時可大面積的生產。在砷化鎵太陽能電池的應用上,可提升23%的轉換效率。 |
英文摘要 | An array of conductive indium-tin-oxide (ITO) nano-columns is deposited on GaAs solar cells using the glancing angle deposition (GLAD) method. Calculations based on a rigorous coupled-wave analysis method show that such ITO nano-columns offer superior angular and spectral anti-reflective (AR) properties. The optical characteristics of the ITO nano-columns are described. The conversion efficiency of GaAs solar cells with ITO nano-columns as the AR coating is increased by 23%. |
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