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題 名 | Low Temperature Growth of GaN Films on (001) GaAs Substrates by Atomic Layer Epitaxy=原子層磊晶在低溫下成長氮化鎵薄膜於(001)砷化鎵基板上 |
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作 者 | 黃世晟; 王興燁; 徐聰仁; 龔志榮; 姜崇義; 林錦華; 杜順利; 張弘; | 書刊名 | 材料科學 |
卷 期 | 30:4 1998.12[民87.12] |
頁 次 | 頁269-273 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 原子層磊晶; 氮化鎵; 砷化鎵; 三甲基鎵; 疊差; Atomic layer epitaxy; Gallium nitride; Gallium arsenide; Trimethylgallium; Stacking faults; |
語 文 | 英文(English) |
英文摘要 | 原子層磊晶在(001) 砷化鎵基材上成長氮化鎵薄膜,使用三甲基鎵(TMGa)與高純 度氨氣 (NH �� ) 作為反應前驅物,本研究以氫氣為輪送氣體將反應氣體導入反應艙中。磊 晶生長在一常壓式石英管反應器中進行,成長溫度維持在 500-650 ℃的低溫範圍內。 X 光 分析結果顯示氮化鎵薄膜為穩定態之六方最密堆積結構。穿透式電子顯微鏡分析發現在氮化 鎵薄膜內部存在柱狀的結晶,此種柱狀結晶在氮化鎵 / 砷化鎵界面附近開始生成。 氮化錠 之島嶼狀結晶在磊晶的初始階段成核於 (001) 砷化鎵表面, 而氮化鎵之 (0001) 面則幾乎 平行於砷化鎵基材之 (111) 面。 ial stage of growth with their basal planes almost parallel to the (111) planes of GaAs substrate. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。