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題名 | 化合物半導體太陽電池技術研究 |
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作者姓名(中文) | 林家慶; | 書刊名 | 新新季刊 |
卷期 | 38:1 2010.01[民99.01] |
頁次 | 頁31-42 |
分類號 | 468.1 |
關鍵詞 | 化合物半導體; 砷化鎵; 氮化鎵; 太陽電池; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文以介紹Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體太陽電池為主,內容涵蓋化合物半導體太陽電池的製作方式與目前的最新發展,從單一接面GaAs太陽電池到複雜的三接面太陽電池結構,隨著製作技術的提升,目前效率最好的太陽電池為聚光型In0.65Ga0.35P/In0.17Ga0.38As/Ge三接面太陽電池,其轉換效率在454個太陽聚光條件下可高達41.1%;而在材料研發上,由於Si具有比Ge更優異的材料特性,再加上可搭配現有的積體化電路技術製作整合型晶片,在Si基板上製作化合物半導體太陽電池也越來越受到重視;而Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的新興材料-氮化物材料,因為可利用InGaN一種材料即可吸收涵蓋整個太陽光譜,加上優異的抗輻射能力,也形成一股研發熱潮,雖然目前仍有瓶頸待突破,但其發展潛力不容忽視。 |
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