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題 名 | 砷化鎵IC |
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作 者 | 蔡嘉元; | 書刊名 | 產業調查與技術季刊 |
卷 期 | 140 2002.01[民91.01] |
頁 次 | 頁65-76 |
分類號 | 484.51 |
關鍵詞 | 砷化鎵IC; 半導體材料; 元素半導體; 化合物半導體; 砷化鎵; Element semiconductor; Compound semiconductor; GaAs; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 半導體材料可分為元素半導體(element semiconductor)及化合物半導體(compound semiconductor)兩類,元素半導體為矽(Si)、鍺(Ge)等;化合物半導體為砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,另在元素半導體或化合物半導體加入其他元素(如鋁、磷等)可形成合金半導體(alloyed semiconductor),增加設計半導體元件特性的自由度。 砷化鎵由於電子移動率約為矽的5.7倍,因此砷化鎵於高頻使用消耗功率低,廣泛運用於高頻及無線通訊(主要為超過1GHz以上的頻率)。砷化鎵除IC產品外,亦可加入其它元素改變能帶隙及其產生光電反應對應的光波波長,製作成光電元件。 根據Electronic Trend Publication研究顯示,2000年全球砷化鎵IC的市場規模為17.3億美元,僅佔全球IC市場規模約1%,由於主要應用產品手機需求不如預期,2001年全球砷化鎵的市場規模為15.4億美元較2000年衰退10.9%,惟未來隨著手機、衛星通訊等通訊市場需求帶動,預估2004年全球砷化鎵市場將成長至27億元。 砷化鎵在無線通訊應用上最大的單一產品為PA(功率放大器),PA應用包含類比、數位行動電話、呼叫器及上述產品之基地臺、無線區域網路(Wireless LAN)、衛星通訊、微波通訊等,其中行動電話的數量遠大於其他應用產品,因此國內砷化鎵晶圓代工廠初期目標市場均鎖定手機用PA。 砷化鎵IC產業依上、下游可概分為IC設計、磊晶、晶圓代工、封裝測試及整合上下游的IDM廠商,國內均有業者投入。IC設計廠商有聯發、加達士等;磊晶廠商有全新光電、博達等;晶圓代工廠商有穩懋、全球聯合通信等;封裝廠商有同欣、國�硉央F測試廠商有宇通、全天時等。 由於2001年砷化鎵IC市場衰退,國際IDM廠商產能利用率普遍低落,加上砷化鎵IC設計廠商極少狀況下,使得國內廠商爭取代工訂單相當因難。由於砷化鎵半導體可以藉由磊晶過程的差異來設計元件的特性,因此在製程的標準化程度較矽半導體落後許多,廠商的競爭力取決於在各種材料、元件結構的投入及產品品質的穩定,故國內廠商未來需提高技術與品質以爭取IDM廠商的訂單。由於投入砷化鎵IC廠商日增,競爭將加劇,未來國內廠商將陷入重整,朝強者恆強、弱者淘汰趨勢發展。 |
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