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題 名 | 砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器=GaAs Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors |
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作 者 | 李清庭; | 書刊名 | 真空科技 |
卷 期 | 14:1 2001.04[民90.04] |
頁 次 | 頁41-45 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 砷化鎵金屬半導體金屬光接收器; 磷光鎵銦; GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文探討以磷化鎵銦作為緩衝層及表面層的砷化鎵金屬-半導體-金屬光接收器。磷化鎵銦緩衝層與砷化鎵光吸收層所形成的異質接面可以用以將由光所產生的電子-電洞對局限於砷化鎵光吸收層之內。磷化鎵銦表面層用以有效地鈍化保護砷化鎵光吸收層。由此形成的光接收器具有低的暗電流及光響應特性。 |
英文摘要 | A. GaAs metel-semiconuctor-metal photodector with InGaP Capping and buffer layers was represented. The heterojunction between InGaP buffer layer and GaAs absorption layer was used to confine the generated electron-hole pair in the GaAs absorption layer. The GaAs absorption layer can be effectively passivated using the InGaP capping layer. The resultant photodetector shows low dark current and superior optical responsivity. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。