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題 名 | 利用連續熱源式之RTP做金屬退火(Annealing)製程 |
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作 者 | 劉存原; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 3:5=22 1997.05[民86.05] |
頁 次 | 頁126-130 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 金屬; 退火; Annealing; RTP; Rapid thermal processor; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | RTP (Rapid thermal processor) 已被廣泛應用於VLSI之metal silicidation製 程技術中,其優越性也在高溫爐管的技術中證實。由於溫度控制的技術,使得傳統燈式 RTP 不適用於低於 600 ℃以下之金屬退火( Annealing )製程, 例如: gold eutectic forming, Al/Cu sintering 及 Ti/W alloying。而大部分 RTP 是利用晶圓上所量測到的溫 度來控制燈管功率,進而可以使晶圓溫度改變。 但 600 ℃以上高溫計會有較大的邊際誤差 值出現,這是因為晶圓的熱輻射率在高溫與低溫有不一樣的值,但同時也是晶圓在製程中會 改變的特性。這會導致製程的非重複性,同時在晶圓上也常會有過溫的溫控結果。 在這份資料裡, 我們將探討利用連續熱源式( continuous heat source ) RTP 來做較低 溫之 Metal Anealing 製程方式。 此設備是將晶圓分別傳送到宜立式爐管腔室( chamber )內。因為在此系統中提供固定熱源及相似於黑體環境的 chamber,所以晶圓在爐內能夠很 快地平衡晶片溫度。不論晶片本身的狀況如何,都有良好的製程重複性。且固定式熱源,在 製程中同時也能排除過熱的缺點。 此外,周遭環的掌握對於 Metal Annealing 製程也非常 重要。之後,我們將會提出利用連續熱源式 RTP 及高溫計成功地製作 Metal Annealing 程 序。 |
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