您的瀏覽器不支援或未開啟JavaScript功能,將無法正常使用本系統,請開啟瀏覽器JavaScript功能,以利系統順利執行。
返回
/NclService/
快速連結
跳到主要內容
:::
首頁
關於本站
網站導覽
聯絡我們
國家圖書館
English
開啟查詢結果分析
查詢資訊
期刊論文索引(找篇目)
指令檢索
期刊指南(找期刊)
近代 (1853-1979年) 港澳華文期刊索引
漢學中心典藏大陸期刊論文索引
中國文化研究論文目錄
期刊瀏覽
檢索歷程
期刊授權
出版機構
公佈欄
常見問題
軟體工具下載
:::
首頁
>
查詢資訊
>
期刊論文索引查詢
>
詳目列表
查詢結果分析
來源資料
崑山工專學報
14 1995.06[民84.06]
頁372-374
相關文獻
晶粒大小對複晶矽電晶體之臨界電壓之影響
複晶矽薄膜電晶體元件特性及雷射結晶技術簡介
Conduction Process and Threshold Voltage in Polycrystalline-Silicon Thin Film Transistors
複晶矽薄膜電晶體製程關鍵技術簡介
複晶矽薄膜電晶體技術之現狀與未來
次世代薄膜電晶體液晶顯示技術--低溫複晶矽薄膜電晶體
低溫複晶矽薄膜電晶體液晶顯示器技術
電漿輔助化學氣相沈積系統淺論
製作低溫複晶矽平面顯示器之驅動薄膜電晶體所採用的準分子雷射系統及退火技術
低溫複晶矽薄膜電晶體關鍵技術
頁籤選單縮合
基本資料
引用格式
國圖館藏目錄
全國期刊聯合目錄
勘誤回報
我要授權
匯出書目
題 名
晶粒大小對複晶矽電晶體之臨界電壓之影響
作 者
李道聖
;
書刊名
崑山工專學報
卷 期
14 1995.06[民84.06]
頁 次
頁372-374
分類號
448.552
關鍵詞
晶粒
;
複晶矽
;
電晶體
;
臨界電壓
;
語 文
中文(Chinese)
頁籤選單縮合
推文
引用網址
引用嵌入語法
Line
FB
Google bookmarks
本文的引用網址:
複製引用網址
本文的引用網址:
複製引用網址