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| 題 名 | Synthesis of Titanium Oxide Film by Plasma Chemical Vapor Deposition from Titanium Tetrachloride=以四氯化鈦的電漿化學氣相沉積法製備氧化鈦薄膜 |
|---|---|
| 作 者 | 許紹達; 陳克紹; 楊木榮; | 書刊名 | 大同學報 |
| 卷 期 | 24 1994.11[民83.11] |
| 頁 次 | 頁237-241 |
| 分類號 | 468 |
| 關鍵詞 | 四氯化鈦; 電漿化學氣相沉積法; 氧化鈦; 薄膜; |
| 語 文 | 英文(English) |
| 中文摘要 | 近年來,電漿化學氣相沉積法以其厚度均勻、低孔隙且成膜溫度低之優勢受到廣 泛重視。本研究事以四氯化鈦的電漿化學氣相沉積法來沉積氧化鈦薄膜。單體流量、電漿功 率,以及在管狀反應器中的位置等都會影響沉積膜之行質。結果顯示在低溫的條件下,膜表 面型態會隨位置不同而有所改變。 薄膜在可見光區的透光度大部分在 80% 以上,在紫外光 區則衰減至 0%。 由紫外光區域的透光度衰減計算得知膜的直接能障介於 3.2-3.75eV 之間 而間接能障則介於 1.75-3.2eV 之間。 沉積膜經由 X-ray 繞射得知大部分為非晶質結構, 經由 400 ℃以上之熱處理才漸漸出現結晶現象。 而薄膜在可見光區的折射率則介於 1.5-2.75 之間。 |
| 英文摘要 | Titanium-oxide films produced by low temperature plasma chemical vapor deposition (plasma CVD) from tetrachloride in a tubular reactor is investigated. PCVD operating parameters such as input power, gas flow rate, and deposition time are relevant to show strong influence on the properties of the films. The as-deposited films are amorphous and non-stoichiometric. Morphology and growth rate of films are affected by the position of substrate which relative to the r.f. electrode in the reactor. Results of annealing show that the amorphous film transforms to crystalline when the temperature is higher than 400 ℃. Refractive index of the as-deposited films films is in the range 1.5-2.75 and compared with other literature. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。