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題名 | 微波電漿輔助化學氣相沈積成長TiC及TiO[feaf]薄膜 |
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作者 | 鄭智文; 李中夏; | 書刊名 | 材料科學 |
卷期 | 27:4 1995.12[民84.12] |
頁次 | 頁323-326 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 氧化鈦薄膜; 碳化鈦; 微波電漿輔助氣相沈積參雜; 微結構; 電性變化; Microwave PECVD; MOCVD; TiO[feaf]; TiC doping; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本研究以異丙環氧鈦(Titanium isopropoxide),一氧化二氮(N�烙)及甲烷 (CH��)為反應原料,同時利用微波電漿化學氣相沈積法(Microwave PECVD)及有 機金屬氣相沈積法(MOCVD),在n-type(100)Si基板上低溫成長碳化鈦(TiC)及二氧 化鈦(TiO��)薄膜,研究添加TiC對TiO�索■中尬v響,藉由改變沈積溫度,反應 劑組成及流量等參數,及進一步退火,以探討其對二氧化鈦薄膜的成長速率、表 面型態、結晶構造、成份和電性的影響。 結果顯示添加TiC會降低介電常數,但折射率無明顯改變,且在700℃退火二小時 後其TiC�索■云漯磾惕庥A亦無明顯改變。 |
英文摘要 | Metalorganic chemical vapor deposition of TiOz thin films on Si doped with microwave PECVD TiC was investigated by using titanium tetraisopropylate (TTIP), N�烙 and CH�� as reactants. The thin films are characterized as functions of process parametersincluding deposition temperature, ambient pressure, reactant concentration and flowrate. The effects of TiC doping on MOCVD TiO�� thin film growth characteristics ,microstructure, morphology, composition, refractive index and dielectric properties are discussed. In general, the growth rate, refractive index and the dielectric constant are all to decrease with the increase of TiC doping. The doped films are more resistive torecrysallization and morphology change from heat treatment. |
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