查詢結果分析
相關文獻
- S-Band and X-Band Monolithic Microwave Amplifier Design Using Pseudomorhic AlGaAs/In匃Ga0.85As High Electron Mobility Transistors (HEMTs)
- DC and Microwave Characteristics of Pseudomorphic AlGaAs/In Ga As HEMT's Fabricated by Deep-UV Lithography
- Microwave Energy Absorption in Porous Food Materials
- 利用微波聚合丙烯酸樹脂
- 微波法聚合活動義齒床用樹脂--照射時間之影響
- 可微波用包裝容器發展現況
- 廴/4 同軸型微波介電濾波器及雙工器之簡介
- 微波加熱原理與應用
- 中藥(材)中微量元素之檢驗方法及規格研訂1.--成藥(材)中微量元素(銅、汞、隔、鉛、砷、鈷、錳)檢驗方法及規格研訂之研究
- 微波功率量測技術
頁籤選單縮合
題 名 | DC and Microwave Characteristics of Pseudomorphic AlGaAs/In Ga As HEMT's Fabricated by Deep-UV Lithography=利用紫外光源所製作之砷化鋁鎵/砷化銦鎵應力層高速場效電晶體之直流與高頻特性 |
---|---|
作 者 | 吳家松; 詹益仁; 綦振瀛; 陳鉅棟; 莊添民; 莊豐裕; 張忠繼; | 書刊名 | Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering |
卷 期 | 1:1 1994.02[民83.02] |
頁 次 | 頁45-50 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 砷化鋁鎵/砷化銦鎵; 微波; 高速場效電晶體; AlGaAs/InGaAs; Microwave; HEMT; |
語 文 | 英文(English) |