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題 名 | Laser Chemical Vapor Deposition of Fine Tungsten Lines On Silicon=矽晶片上微鵭線之雷射化學氣相沉積 |
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作 者 | 林堅楊; 董德國; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 19:2 1991.01[民80.01] |
頁 次 | 頁99-102 |
分類號 | 336.9 |
關鍵詞 | 化學氣相; 沉積; 矽晶片; 微鎢線; 雷射; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本研究乃採取雷射熱分解沉積接行六氟化鎢之氫還原反應,將細微之 鎢線沉積於矽基片上。實驗所用之雷射化學氣相沉積系統是以一經高度聚焦的 514.5nm連績波氫離子雷射光束為熱源。本研究利用變化雷射光之功率、雷射光 束之掃描速率、及反應氣體之壓力探討出以雷射化學氣相沉積法生長鎢導線之最 往條件,而所速成之鍵生長速率高速2.2毫米/秒。所生長之鎢導線為3至10微 米寬、0.2-6.0微米序,其電阻係數則為11-56微歐姆-粴米。本文亦針對所生長優 良鎢導線之低電阻係數討論其原因。 |
英文摘要 | Fine tungsten (W) lines on native-SiO2/Si substrates have been deposited using the laser pyrulyticdeposition technique with the hydrogen reduction ofWF6. The heat source of the laser chemicalvapor deposition (LCVD) system was a highly focused 514.5 nm cw Ar+ laser beam. Optimal growthconditions of the LCVD W lines were investigated by varying the laser power, laser sciin speed andpressure of the gas reactants. Growth rates of the W lines as high as 2.2 min/s have been achieved inour LCVD system. The as-deposited W lines were 3-10 μm wide. 0.2-6.0μm thick with resistivitiesin the range of 11-56 μΩ-cm. The mechanisms associated with the relatively low resistivities of theLCVD W lines were discussed. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。