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題名 | 以雷射輔助電漿增強化學氣相沉積系統沉積具矽奈米簇集之氮化矽薄膜及其光電元件應用 |
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作者姓名(中文) | 李欣縈; 蔡泰成; 林子舜; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 18:3=200 2012.03[民101.03] |
頁次 | 頁120-135 |
專輯 | 半導體與光電製程設備專輯 |
分類號 | 448.59 |
關鍵詞 | 雷射輔助電漿增強式化學氣相沉積系統; 矽奈米簇集; 電激發光元件; 記憶體元件; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 以新型雷射輔助電漿增強式化學氣相沉積系統在低溫環境及不同的反應氣體流量比例下沉積具矽奈米簇集之氮化矽薄膜,研究其薄膜的光激發光特性,其中隨著反應氣體矽甲烷對氨氣的比例減少,其實驗結果顯示具矽奈米簇集之氮化矽薄膜的光激發光譜有系統的藍移且其光激發光強度亦會隨之增強,光譜的藍移歸因於在薄膜中的奈米簇集的尺寸減小,光激發光強度增強的原因係由於奈米簇集非輻射中心數量的減少以及薄膜中奈米簇集密度的增加。利用此具矽奈米簇集之氮化矽薄膜製成光發射元件,並證實電激發光是由於載子穿透進入氮化矽薄膜內的發光中心復合所導致。此外,探討金屬-絕緣層-半導體結構,利用具矽奈米簇集之氮化矽薄膜製作絕緣層,研究其電容-電壓特性和電荷保持力,此金屬-絕緣層-半導體結構的記憶體特性,電荷儲存主要是由在矽奈米簇集所造成,元件被充電較長的時間或在較低的充電電壓其放電較慢,所觀察到的電荷保持力行為係藉由矽奈米簇集在氮化矽薄膜的空間分佈以及奈米簇集的尺寸分佈。本研究以創新之雷射輔助電漿增強式化學氣相沉積系統成功在低溫環境下製作具結晶矽奈米簇集的光發射元件以及金屬-絕緣層-半導體結構電容元件。 |
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