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題 名 | Recent Developments in the Epitaxial Growth of Transition Metal Silicides on Silicon=過渡族金屬矽化物在矽晶上磊晶成長之最新發展 |
---|---|
作 者 | 陳力俊; | 書刊名 | 材料科學 |
卷 期 | 22:3 1990.09[民79.09] |
頁 次 | 頁155-168 |
分類號 | 440.34 |
關鍵詞 | 過渡族金屬; 矽化物; 矽晶; 磊晶; |
語 文 | 英文(English) |
英文摘要 | Recent developments in the epitaxial growth of transition metal silicides on silicon are reviewed. The formation of amorphous interlayers at metal/Si interfaces, effects of lateral confinement, doping impurity, and rapid thermal annealing on the epitaxial growth of silicides on silicon aswell as growth of .epitaxial silicides at room temperature are described and discussed. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。