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題 名 | Fabrication processes for an AlGaAs/InGaP/AlGaAs Visible LD Grown by Liquid phase Epitaxy=AlGaAs/InGaP/AlGaAs可見光雷射二極體之液相磊晶法製程 |
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作 者 | 張連璧; 謝立人; 黃炳森; 陳傳章; | 書刊名 | 中正嶺學報 |
卷 期 | 22:1 1993.07[民82.07] |
頁 次 | 頁143-151 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 液相磊晶法; 雷射二極體; 液相磊晶生長; 可見光雷射二極體; 橫向接面條狀結構; Liquid phase epitaxy; Visible laser diode; Transverse junction stripe; |
語 文 | 英文(English) |
中文摘要 | 本文以橫向接面條狀結構,在半絕緣之神化鎵基底上製造用 GaAs/InGaP/AlGaAs雙異質可見光雷射二極體。在製程中,利用緩衝溶液法降低 AlGaAs/InGaP界面上的污染程度。以化學氣相磊晶法將SI3N4薄膜生長在磊晶晶 片的表面,再以電漿刻法在<110>方向形成100微米寬的條紋。Zn擴散橫向p-n 接面,有效地減少了雷射二極體之InG中主動區域且允許連續波操作於室溫,此 暗示著橫向接面條狀結構適合於AlGaAs/lnGaP/AlGaAs可見光雷射二極體之LPE 成長技術。 |
英文摘要 | A transverse junction stripe( TJS ) structure is used to fabricate AIGaAs/InGaP/AIGaAsdouble hetero( DH ) visible lasers on semi-insulating( SI ) GaAs substrates. The use of abuffer solution, during the liquid phase epitaxy ( LPE ) growth of AIGaAs/InGaAs/AIGaAs DHwafers on Cr & 0 doped GaAs substrates, serves to suppress the AIGaAs/InGaP interfacial contamination. An Si�衹�� film mask is laid down on the epitaxial wafer surface by chemical vapordeposition( CVD ), and subsequently plasma etched to form 100 um wide stripe in < 110 > direction. A Zn diffused transverse p-n junction effectively reduces the LD's InGaP active regionand allows for continuous wave operation at room temperature, which suggests that this TJSstructure is suitable for the LPE growth of AIGaAs/InGaP/AIGaAs visible laser diodes. |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。