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題 名 | 矽晶片研磨損傷及磊晶層之研究 |
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作 者 | 朱俊俍; 謝明雄; 歐陽浩; 蔡哲正; 林宏彝; | 書刊名 | 機械工業 |
卷 期 | 197 1999.08[民88.08] |
頁 次 | 頁154-161 |
專 輯 | 奈米工程暨微機電系統技術專輯 |
分類號 | 448.552 |
關鍵詞 | 磊晶成長; 殘留應力; 矽晶片; Epitaxial growth; Residual stresses; Silicon wafer; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 矽晶片是IC廠商在製作IC元件時必須採用的空白晶片,其對半導體工業的影響是 不容忽視的。在本研究中主要是探討經過加工研磨對於矽晶片的影響,和如何去除這個影響 並且也對於矽晶片在磊晶過後其性質做一評估與討論。在實驗中,利用雷射測彎曲度和X-ray rocking curve分析處理之晶片,確實發現加工研磨對於矽晶片而言,會形成損傷層而造成 應力殘留,且此應力可以蝕刻法去除。也可以由傅立葉轉換紅外線光譜儀(FTIR)實驗發現矽 晶片經過磊晶過程後,其性質有了改善。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。