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| 題 名 | 三維積體電路(3D IC)製程技術與發展 |
|---|---|
| 作 者 | 林立民; | 書刊名 | 電子月刊 |
| 卷 期 | 19:9=218 2013.09 [民102.09] |
| 頁 次 | 頁140-152 |
| 專 輯 | IC製程技術專輯 |
| 分類號 | 448.57 |
| 關鍵詞 | 三維積體電路; 矽穿孔; 摩爾定律; 3D IC; TSV; Moore's Law; |
| 語 文 | 中文(Chinese) |
| 中文摘要 | 三維積體電路(3D IC)晶片堆疊技術可將不同的異質晶片垂直堆疊,並以矽穿孔(Through-Si Via, TSV)的方式連結,大大的縮短了金屬連線的距離,實現電子產品高效能、高密度、低功耗及高度異質晶片整合的目標,成為延續摩爾定律(Moore's Law)的一種新解決方案。本文將描述封裝技術的演進及三維積體電路的起源,並且說明2.5維積體電路(2.5D IC)製程技術,分別探討三維積體電路的矽穿孔蝕刻、微導孔沉積、晶圓薄化(Wafer thinning)和晶片堆疊(Stacking)與接合(Bonding)等關鍵製程的技術與發展,最後說明未來三維積體電路所面臨的挑戰。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。