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題 名 | 三維積體電路/矽整合的直通矽穿孔(TSV)之進化、挑戰和展望 |
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作 者 | 劉漢誠; 吳偉琳; 吳昇財; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷 期 | 17:9=194 2011.09[民100.09] |
頁 次 | 頁172-205 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 三維積體電路封裝; 三維積體電路整合; 三維矽整合; 直通矽穿孔; 中介層; 3D IC packaging; 3D IC integration; 3D Si integration; TSV; Interposer; |
語 文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 三維整合(3D integration)包括三維積體電路封裝(3D IC packaging)、三維積體電路整合(3D IC integration)和三維矽整合(3D Si integration)。他們是不同的,一般用直通矽穿孔(through-silicon via, TSV)技術來分隔成三維積體電路封裝與三維積體電路/矽整合,因為後兩者會使用TSV技術但是三維積體電路封裝卻沒有。TSV(是一種在每一個晶片或中介層(interposer)的雙面都可以有電路存在之新的概念),是三維積體電路/矽整合的核心,也是本文所探討的重點,另外也將提及三維整合的起源。此外,本文也將對三維積體電路/矽整合的進化、挑戰和前景進行討論,以及更進一步的提出他們的其願景圖。最後針對在通用性、低成本與增強散熱效能的三維積體電路系統級封裝架構考量之下,探討多種有著TSV的被動式interposer之結構在高效能的應用。 |
本系統中英文摘要資訊取自各篇刊載內容。