查詢結果分析
來源資料
相關文獻
- 低k電介質的電傳導機制及其可靠性的相關性研究
- 傳輸線觸波技術在深次微米互補式金氧半積體電路之靜電放電防護設計的應用
- 次微米互補式金氧半積電路之靜電放電防護--傳輸線觸波技術應用篇
- 添加鉍硼玻璃氧化鋅的燒結性與電性
- Contributions of Ion-Induced Damage Restoration and Removal in GaN Light Emitting Diodes
- 家用無變壓器直流電源供應器
- Investigation on Both Chemical Composition Distribution and Morphological Structure of Thermal Gd-oxide
- 摻雜濃度對矽鍺異質接面雙載子電晶體直流電氣特性影響之研究
- Current-Mode Sinusoidal Oscillators Using Two FTFNs
- 山上P/S 161KV雙BUS改為兩單BUS工程之規劃施工
頁籤選單縮合
題名 | 低k電介質的電傳導機制及其可靠性的相關性研究 |
---|---|
作者 | 林明德; 王志榮; 阮振修; 蘇冠丞; | 書刊名 | 電子月刊 |
卷期 | 19:6=215 2013.06[民102.06] |
頁次 | 頁131-137 |
專輯 | 靜電放電防護技術特輯 |
分類號 | 448.57 |
關鍵詞 | 低k電介質; 崩潰; 電流; 可靠性; |
語文 | 中文(Chinese) |
中文摘要 | 本文論述先進微電子元件中銅連接結構的碳摻雜氧化矽低k介電質在不同溫度下之漏電流及可靠性的研究結果。研究顯示低k介電質的傳導電流和崩潰電場有顯著的電壓極性依賴性。在不同的電場範圍,低k介電質有不同的傳導機制。不對稱能帶圖和表面缺陷解釋了此電流傳導的極性現象。崩潰電場的電壓極性關係顯示低k電介質的崩潰機制是符合電流載體潰機模型,而不適合電場潰機模型。 |
本系統之摘要資訊系依該期刊論文摘要之資訊為主。